这些材料具有出色的集光和EnT特性，全文这是通过掺杂低能红色发射铂的受体实现的。

这相关的改进可以在一定程度上提高器件的运行稳定性，｜新相关但同时也使得器件结构变得更加复杂，增加成本。新加坡材料研究所的研究团队还系统表征了该可变电阻存储器的性能（见图三），电力发现其具有优越电性能，电力比如很小的驱动电压（~0.4V）、很大的开关比（104）、非常好的器件循环稳定性。

该工作以MoS2/PolymerHeterostructuresEnablingStableResistiveSwitchingandMultistateRandomness 为题目发表在国际著名材料学期刊《AdvancedMaterials》上，市场其中柴剑维博士、市场TongShiwun博士,黎长建博士与 CarlosManzano博士是共同第一作者，ChiDongzhi研究员、WangShijie研究员、杨明博士、MEDINASilvaHenry 博士是论文的通讯作者。该研究团队首先用离子溅射的方法（全球PCT专利：问题PCT/SG2018/050462）在二氧化硅衬底可控生长出了层状、问题高质量、大面积(2英寸)的二硫化钼多层薄膜（见图一），然后通过改进的薄膜转移的方法，把二硫化钼薄膜转移到器件基底上，通过控制转移过程烘烤温度，可以在转移的结晶二硫化钼层状薄膜中间形成无定型的聚合物层，然后再沉积银金属做为顶电极（见图二），最终形成金（底电极）– 多层二硫化钼/聚合物/多层二硫化钼/聚合物/多层二硫化钼– 银（顶电极）结构的可变电阻存储器（新加坡专利：2019/5984103881V）。小结该工作新颖地在多层二硫化钼中间引入聚合物层，研究从而极大提升了相关可变电阻存储器的性能，研究也阐明了其在真随机数产生上的应用，有望应用于网络信息与数据安全

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